IPB80N06S407ATMA2 | Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies N-Kanal OptiMOST2 Power Transistor, 60 V, 80 A, PG-TO263-3, IPB80N06S407ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 88S9124
Price: 1.74 EUR
Availability: OutOfStock

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOST2 Power Transistor, 60 V, 80 A, PG-TO263-3, IPB80N06S407ATMA2

Bestellnr.: 88S9124

EAN: 4099879035288

HTN:

IPB80N06S407ATMA2

SP001028672

Herstellerserien: IPB

IPB80N06S407ATMA2 Infineon Technologies MOSFETs

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 60 V

max. Strom 80 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 7.1 mΩ

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Produktbeschreibung

MOSFETs, IPB80N06S407ATMA2, Infineon Technologies

Features

N-Kanal
Erweiterungsmodus
MSL1 bis zu 260°C Spitzenwert beim Reflow
Lawine bewertet

Anwendungen

Steuerung der Ventile
Steuerung von Magneten
Beleuchtung
Einseitig gelagerte Motoren

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	7.1 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	4.3x10<sup>-8</sup> C
	Gehäuse	PG-TO263-3
	max. Spannung	60 V
	max. Strom	80 A
	max. Temperatur	175 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	SMD
	Verlustleistung W (DC)	79 W