IPI024N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power Transistor, 60 V, 120 A, PG-TO262-3, IPI024N06N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 88S9311
Price: 2.86 EUR
Availability: OutOfStock

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power Transistor, 60 V, 120 A, PG-TO262-3, IPI024N06N3GXKSA1

Bestellnr.: 88S9311

EAN: 4099879035295

HTN:

IPI024N06N3GXKSA1

SP000680644

Herstellerserien: IPI

IPI024N06N3GXKSA1 Infineon Technologies MOSFETs Bild 1

IPI024N06N3GXKSA1 Infineon Technologies MOSFETs Bild 2

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 60 V

max. Strom 120 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 2.4 mΩ

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Produktbeschreibung

Leistungstransistor, IPI024N06N3GXKSA1, Infineon

OptiMOS Power-Transistor, ideal für hochfrequentes Schalten und Synchronisieren mit sehr niedrigem On-Widerstand und 100% Avalanche getestet.

Features

Ausgezeichnete Gate-Ladung
Halogenfrei
Optimierte Technologie für DC/DC-Wandler
Ideal für hochfrequentes Schalten

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	2.4 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	2.06x10<sup>-7</sup> C
	Gehäuse	PG-TO262-3
	max. Spannung	60 V
	max. Strom	120 A
	max. Temperatur	175 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	THT
	Verlustleistung W (DC)	250 W