IPI147N12N3GAKSA1 | Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power Transistor, 120 V, 56 A, PG-TO262-3, IPI147N12N3GAKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 88S9345
Price: 1.20 EUR
Availability: OutOfStock

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power Transistor, 120 V, 56 A, PG-TO262-3, IPI147N12N3GAKSA1

Bestellnr.: 88S9345

EAN: 4099879035332

HTN:

IPI147N12N3GAKSA1

SP000652744

Herstellerserien: IPI

IPI147N12N3GAKSA1 Infineon Technologies MOSFETs Bild 1

IPI147N12N3GAKSA1 Infineon Technologies MOSFETs Bild 2

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 120 V

max. Strom 56 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 14.7 mΩ

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Produktbeschreibung

MOSFETs, IPI147N12N3GAKSA1, Infineon Technologies

Features

N-Kanal
Ausgezeichnete Torgebühr
Sehr niedriger On-Widerstand
Ideal für hochfrequentes Schalten und synchrone Gleichrichtung

Anwendungen

Synchrongleichrichtung für AC-DC SMPS
Motorsteuerung für 12 V-48 V Systeme
Isolierte DC-DC-Wandler
Bedienung von Schaltern und Leistungsschaltern in 48-V-Systemen
Audioverstärker der Klasse D

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	14.7 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	3.7x10<sup>-8</sup> C
	Gehäuse	PG-TO262-3
	max. Spannung	120 V
	max. Strom	56 A
	max. Temperatur	175 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	THT
	Verlustleistung W (DC)	107 W