IPI50N10S3L16AKSA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOST Power Transistor, 100 V, 50 A, PG-TO262-3, IPI50N10S3L16AKSA1
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MOSFETs, IPI50N10S3L16AKSA1, Infineon Technologies
Features
- N-Kanal
- Erweiterungsmodus
- MSL1 bis zu 260°C Spitzenwert beim Reflow
- Lawine bewertet
Anwendungen
- 48-V-Wechselrichter
- 48 V DC/DC
- HID-Beleuchtung
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 15 mΩ | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 6.4x10<sup>-8</sup> C | |
Gehäuse | PG-TO262-3 | |
max. Spannung | 100 V | |
max. Strom | 50 A | |
max. Temperatur | 175 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | THT | |
Verlustleistung W (DC) | 100 W |
Download
Logistik
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |