IPI600N25N3GAKSA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power Transistor, 250 V, 25 A, PG-TO262-3, IPI600N25N3GAKSA1
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MOSFETs, IPI600N25N3GAKSA1, Infineon Technologies
Features
- N-Kanal
- Ausgezeichnete Torgebühr
- Sehr niedriger On-Widerstand
- Ideal für hochfrequentes Schalten und synchrone Gleichrichtung
Anwendungen
- Synchrongleichrichtung für AC-DC SMPS
- Motorsteuerung für 48 V-110 V Systeme
- Isolierte DC-DC-Wandler
- Beleuchtung für 110 V AC-Netze
- HID-Lampen
- Audioverstärker der Klasse D
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 60 mΩ | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 8x10<sup>-9</sup> C | |
Gehäuse | PG-TO262-3 | |
max. Spannung | 250 V | |
max. Strom | 25 A | |
max. Temperatur | 175 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | THT | |
Verlustleistung W (DC) | 136 W |
Download
Logistik
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |