IRF1018EPBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, TO-220AB, IRF1018EPBF
Bestellnr.: 31S2058
HTN:
IRF1018EPBF
SP001574502
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HEXFET MOSFET NFET s Typ International Rectifier IRF.
N-Channel-Ausführung.
Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDSS), Widerstand RDS(ON), Strom: ID, Gehäuse): IRF1018EPBF, 60 V, 7,1 bis 8,4 mOhm, TO220AB
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 8.4 mΩ | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 4.6x10<sup>-8</sup> C | |
| Gehäuse | TO-220AB | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | THT |
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Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
