IRF4905LPBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies P-Kanal HEXFET Power MOSFET, -55 V, -42 A, TO-262, IRF4905LPBF
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MOSFETs, IRF4905LPBF, Infineon Technologies
Features
- Fortschrittliche Prozesstechnologie
- Extrem niedriger Einschaltwiderstand
- Wiederholter Lawinenabgang bis zu Tj max erlaubt
- Schnelles Umschalten
Anwendungen
- DC-Motoren
- SMPS
- Beleuchtung
- Lastschalter
- Batteriebetriebene Anwendungen
Technische Daten
| Ausführung | P-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 20 mΩ | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.2x10<sup>-7</sup> C | |
| Gehäuse | TO-262 | |
| max. Spannung | -55 V | |
| max. Strom | -42 A | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | THT | |
| Verlustleistung W (DC) | 3.8 W |
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Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
