IRF610-T | Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 100 V, 3.3 A, TO-220, IRF610-T
Brand: Infineon Technologies
SKU: 24S3256
Price: 2.02 EUR
Availability: InStock

Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 100 V, 3.3 A, TO-220, IRF610-T

Bestellnr.: 24S3256

EAN: 4099879033239

HTN:

IRF610-T

Herstellerserien: IRF

Abbildung kann abweichen

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 100 V

max. Strom 3.3 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 1.5 Ω

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Produktbeschreibung

MOSFETs, IRF610-T, Infineon Technologies

Der IRF610-T ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der mit Hilfe fortschrittlicher Verarbeitungstechniken einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche erreicht. Der geringe Wärmewiderstand des TO-220 trägt zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.

Features

Fortschrittliche Prozesstechnologie
Extrem niedriger Einschaltwiderstand
Dynamischer dv/dt-Wert
Schnelles Umschalten
Einfaches Parallelisieren
Einfache Antriebsanforderungen

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	1.5 Ω
	Gate Charge Qg @10V (nC)	8.2x10<sup>-9</sup> C
	Gehäuse	TO-220
	max. Spannung	100 V
	max. Strom	3.3 A
	max. Temperatur	175 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	THT
	Verlustleistung W (DC)	36 W