IRF7303TRPBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal Dual HEXFET Power MOSFET, 30 V, 4.9 A, SO-8, IRF7303TRPBF
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,8330 € *
Sofort verfügbar: 3.930 Stk.
Lieferzeit ab Hersteller: Auf Anfrage **
Gesamtpreis:
8,33 € *
Preisstaffel
Anzahl
Preis pro Einheit*
10 Stk.
0,8330 €
50 Stk.
0,7378 €
250 Stk.
0,6307 €
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
**Zwischenverkauf vorbehalten
MOSFET, IRF7303TRPBF, Infineon Technologies
Der IRF7303TRPBF wurde durch ein kundenspezifisches Leadframe modifiziert, um die thermischen Eigenschaften und die Multiple-Die-Fähigkeit zu verbessern, wodurch er sich für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen eignet.
Features
- Technologie der Generation V
- Extrem niedriger Einschaltwiderstand
- Zweifach-N-Kanal-Mosfet
- Dynamischer dv/dt-Wert
- Schnelles Umschalten
Anwendungen
- Für Leistungsanwendungen
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 0.05 Ω | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V | 0.08 Ω | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.5x10<sup>-8</sup> C | |
| Gehäuse | SO-8 | |
| max. Spannung | 30 V | |
| max. Strom | 4.9 A | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Verlustleistung W (DC) | 2 W |
Download
Logistik
| Ursprungsland | MY |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 44.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
