IRFB4227PBF | Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 200 V, 65 A, TO-220, IRFB4227PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 31S3229
Price: 2.73 EUR
Availability: OutOfStock

Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 200 V, 65 A, TO-220, IRFB4227PBF

Bestellnr.: 31S3229

EAN: 4099879034120

HTN:

IRFB4227PBF

Herstellerserien: IRFB

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 200 V

max. Strom 65 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 24 mΩ

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Produktbeschreibung

MOSFETs, IRFB4227PBF, Infineon Technologies

Der IRFB4227PBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der Verarbeitungstechniken einsetzt, um einen niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche und einen niedrigen E-Wert zu erreichen.

Features

Fortschrittliche Prozesstechnologie
Optimierte Schlüsselparameter für PDP-Sustain, Energierückgewinnung und Pass-Switch-Anwendungen
Niedriger E-Wert zur Reduzierung der Verlustleistung
Niedriger Q-Wert für schnelle Reaktion
Hohe repetitive Spitzenstromfähigkeit für zuverlässigen Betrieb
Kurze Fall- und Anstiegszeiten für schnelles Umschalten
Wiederholte Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit

Anwendungen

DC-Motoren
Batterie-Management-Systeme
Wechselrichter
DC-DC-Wandler

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	24 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	7x10<sup>-8</sup> C
	Gehäuse	TO-220
	max. Spannung	200 V
	max. Strom	65 A
	max. Temperatur	175 °C
	min. Temperatur	-40 °C
	Montage	THT
	Verlustleistung W (DC)	330 W