IRFB4410PBF | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 100 V, 88 A, TO-220, IRFB4410PBF

Bestellnr.: 31S3233
EAN: 4099879034144
HTN:
IRFB4410PBF
SP001556060
Herstellerserien: IRFB
Infineon Technologies
IRFB4410PBF Infineon Technologies MOSFETs
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MOSFETs, IRFB4410PBF, Infineon Technologies

Features

  • Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit
  • Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA
  • Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Körperdioden

Anwendungen

  • Hohe Effizienz Synchrone Gleichrichtung in SMPS
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung
  • Leistungsschaltung mit hoher Geschwindigkeit
  • Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen
Technische Daten
Ausführung N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 10 mΩ
Gate Charge Qg @10V (nC) 1.2x10<sup>-7</sup> C
Gehäuse TO-220
max. Spannung 100 V
max. Strom 88 A
max. Temperatur 175 °C
min. Temperatur -55 °C
Montage THT
Verlustleistung W (DC) 200 W
Logistik
Ursprungsland CN
Zolltarifnummer 85412900
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja