IRFP250NPBF | Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 200 V, 30 A, TO-247, IRFP250NPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 24S3301
Price: 1.62 EUR
Availability: InStock

Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 200 V, 30 A, TO-247, IRFP250NPBF

Bestellnr.: 24S3301

EAN: 4099879033390

HTN:

IRFP250NPBF

Herstellerserien: IRFP

Abbildung kann abweichen

Drucken

Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 200 V

max. Strom 30 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 75 mΩ

Download Datenblatt Technische Daten

Einzelpreis (€ / Stk.)

1,6184 € *

Sofort verfügbar: 4.722 Stk.

Lieferzeit ab Hersteller: 2 Wochen **

Gesamtpreis:

1,62 € *

Preisstaffel

Anzahl

Preis pro Einheit*

1 Stk.

1,6184 €

25 Stk.

1,4994 €

100 Stk.

1,3685 €

250 Stk.

1,2971 €

1000 Stk.

1,2138 €

*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

**Zwischenverkauf vorbehalten

Produktbeschreibung

MOSFETs, IRFP250NPBF, Infineon Technologies

Der IRFP250NPBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der mit Hilfe fortschrittlicher Verarbeitungstechniken einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche erreicht.

Features

Fortschrittliche Prozesstechnologie
Einfaches Parallelisieren
Dynamischer dv/dt-Wert
Schnelles Umschalten
Einfache Antriebsanforderungen

Anwendungen

DC-Motoren
Wechselrichter
SMPS
Beleuchtung
Lastschalter
Batteriebetriebene Anwendungen

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	75 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	1.23x10<sup>-7</sup> C
	Gehäuse	TO-247
	max. Spannung	200 V
	max. Strom	30 A
	max. Temperatur	175 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	THT
	Verlustleistung W (DC)	214 W