IRFR1205TRPBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, DPAK, IRFR1205TRPBF
Bestellnr.: 54S1061
HTN:
IRFR1205TRPBF
SP001560566
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,4522 € *
Lagerbestand: 0 Stk.
Verfügbar in 5 Tagen: 400 Stk.
Lieferzeit ab Hersteller: 10 Wochen **
Gesamtpreis:
22,61 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
**Zwischenverkauf vorbehalten
50 Stk.
0,4522 €
Leistungs-MOSFET, IRFR1205TRPBF, INFINEON
Der HEXFET der fünften Generation von International Rectifier nutzt fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Kombination mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Power MOSFET bekannt ist, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Features
- Planare Zellstruktur für breite SOA
- Optimiert für eine möglichst breite Verfügbarkeit bei den Vertriebspartnern
- Silizium optimiert für Anwendungen, die unter < 100 kHz schalten
- Industriestandard-Gehäuse für Oberflächenmontage
- Standard-Pinout ermöglicht Drop-in-Austausch
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 27 mΩ | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 4.33x10<sup>-8</sup> C | |
Gehäuse | DPAK | |
max. Temperatur | 175 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | SMD |
Download
Logistik
Ursprungsland | CN |
Originalverpackung | Rolle mit 2.000 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |