IRFR1205TRPBF | Infineon Technologies

Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, DPAK, IRFR1205TRPBF

Bestellnr.: 54S1061
HTN:
IRFR1205TRPBF
SP001560566
IRFR1205TRPBF Infineon Technologies MOSFETs
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Leistungs-MOSFET, IRFR1205TRPBF, INFINEON

Der HEXFET der fünften Generation von International Rectifier nutzt fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Kombination mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Power MOSFET bekannt ist, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Features

  • Planare Zellstruktur für breite SOA
  • Optimiert für eine möglichst breite Verfügbarkeit bei den Vertriebspartnern
  • Silizium optimiert für Anwendungen, die unter < 100 kHz schalten
  • Industriestandard-Gehäuse für Oberflächenmontage
  • Standard-Pinout ermöglicht Drop-in-Austausch
Technische Daten
Ausführung N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 27 mΩ
Gate Charge Qg @10V (nC) 4.33x10<sup>-8</sup> C
Gehäuse DPAK
max. Temperatur 175 °C
min. Temperatur -55 °C
Montage SMD
Logistik
Ursprungsland CN
Originalverpackung Rolle mit 2.000 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja