IRFS7437TRLPBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 40 V, 195 A, D2PAK, IRFS7437TRLPBF
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MOSFETs, IRFS7437TRLPBF, Infineon Technologies
Features
- Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit
- Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA
- Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Körperdioden
- Bleifrei
Anwendungen
- Anwendungen für bürstenbehaftete Motorantriebe
- BLDC-Motorantriebsanwendungen
- Batteriebetriebene Schaltungen
- Halbbrücke und Vollbrückentopologien
- Anwendungen von Synchrongleichrichtern
- Stromversorgungen im Resonanzmodus
- OR-ing und redundante Leistungsschalter
- DC/DC- und AC/DC-Wandler
- DC/AC Wechselrichter
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 1.8 mΩ | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.5x10<sup>-7</sup> C | |
| Gehäuse | D2PAK | |
| max. Spannung | 40 V | |
| max. Strom | 195 A | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Verlustleistung W (DC) | 230 W |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
