IRL7472L1TRPBF | Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies N-Kanal DirectFET Power MOSFET, 40 V, 375 A, DirectFET-L8, IRL7472L1TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 54S1009
Price: 2.52 EUR
Availability: OutOfStock

Infineon Technologies N-Kanal DirectFET Power MOSFET, 40 V, 375 A, DirectFET-L8, IRL7472L1TRPBF

Bestellnr.: 54S1009

EAN: 4099879034694

HTN:

IRL7472L1TRPBF

Herstellerserien: IRL

IRL7472L1TRPBF Infineon Technologies MOSFETs Bild 2

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 40 V

max. Strom 375 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 0.45 mΩ

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Produktbeschreibung

MOSFET, IRL7472L1TRPBF, Infineon Technologies

Features

Optimiert für die Ansteuerung auf Logikniveau
Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit
Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA
Verbesserte dv/dt- und di/dt-Fähigkeit der Body-Diode
Bleifrei, RoHS-konform

Anwendungen

Anwendungen für bürstenbehaftete Motorantriebe
BLDC-Motorantriebsanwendungen
Batteriebetriebene Schaltungen
Halbbrücken- und Vollbrückentopologien
Anwendungen von Synchrongleichrichtern
DC/DC- und AC/DC-Wandler
DC/AC-Wechselrichter

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	0.45 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	1.33x10<sup>-7</sup> C
	Gehäuse	DirectFET-L8
	max. Spannung	40 V
	max. Strom	375 A
	max. Temperatur	175 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	SMD
	Verlustleistung W (DC)	341 W