SPW17N80C3 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal CoolMOS Power Transistor, 800 V, 17 A, TO-247, SPW17N80C3
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MOSFETs, SPW17N80C3, Infineon Technologies
Features
- Neue revolutionäre Hochspannungstechnologie
- Extrem dv/dt bewertet
- Hohe Spitzenstromfähigkeit
- Ultra Niedrige Gate-Ladung
- Sehr niedrige effektive Kapazitäten
Anwendungen
- Industrielle Anwendung mit hoher Gleichstrom-Volumenspannung
- Anwendung schalten
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 290 mΩ | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 8.8x10<sup>-8</sup> C | |
Gehäuse | TO-247 | |
max. Spannung | 800 V | |
max. Strom | 17 A | |
max. Temperatur | 150 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | THT | |
Verlustleistung W (DC) | 227 W |
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Logistik
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |