BD711 | International Power Semiconductor
Bipolartransistor, NPN, 100 V, THT, TO-220, BD711
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Transistoren Reihe BD.
Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): BD711, TO220
Technische Daten
Ausführung | NPN | |
Gehäuse | TO-220 | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 100 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 100 V | |
Montage | THT | |
Nennstrom | 12 A | |
Transitfrequenz fTmin | 3 MHz |
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Logistik
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |