BD901-T | International Power Semiconductor
Bipolartransistor, NPN, 100 V, THT, TO-220, BD901-T
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Transistoren Reihe BD.
Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): BD901, TO220AB, IPS
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 100 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 100 V | |
| Montage | THT | |
| Nennstrom | 8 A | |
| Transitfrequenz fTmin | 1 MHz |
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Logistik
| Ursprungsland | IN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
