IXFA180N10T2 | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal Trench Gate Power MOSFET, 100 V, 180 A, TO-263, IXFA180N10T2
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MOSFET, IXFA180N10T2, LITTELFUSE
Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis.
Features
- Hohe Strombelastbarkeit
- Schneller intrinsischer Gleichrichter
- Dynamischer dv/dt-Wert
- Niedriger RDS(on)
- Internationales Standardgehäuse
Anwendungen
- Synchrone Gleichrichtung
- DC-DC-Wandler
- Batterieladegeräte
- Schaltnetzteile und Resonanznetzteile
- DC-Chopper
- AC-Motorantriebe
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
- Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltanwendungen
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 6 mΩ | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.85x10<sup>-7</sup> C | |
| Gehäuse | TO-263 | |
| max. Spannung | 100 V | |
| max. Strom | 180 A | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Verlustleistung W (DC) | 480 W |
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Logistik
| Ursprungsland | KR |
| Zolltarifnummer | 85411000 |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
