IXFA3N120 | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal HiPerFET Power MOSFET, 1200 V, 3 A, TO-263, IXFA3N120
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MOSFET, IXFA3N120, Littelfuse
IXFA3N120 eignet sich sowohl für hart schaltende als auch für resonante Anwendungen und bietet eine niedrige Gate-Ladung und ausgezeichnete Robustheit mit einer schnellen intrinsischen Diode.
Features
- Hohe Strombelastbarkeit
- Avalanche bewertet
- Niedrige Gehäuse-Induktivität
- Schnelle intrinsische Diode
- Leicht zu montieren
- Platzersparnis
- Hohe Leistungsdichte
Anwendungen
- DC-DC-Wandler
- Batterieladegeräte
- Gleichstrom-Chopper
- AC-Motorantriebe
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 4.5 Ω | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 3.9x10<sup>-8</sup> C | |
Gehäuse | TO-263 | |
max. Spannung | 1200 V | |
max. Strom | 3 A | |
max. Temperatur | 150 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | SMD | |
Verlustleistung W (DC) | 200 W |
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Logistik
Ursprungsland | KR |
Zolltarifnummer | 85411000 |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |