IXFH80N65X2 | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal Ultra Junction Power MOSFET, 650 V, 80 A, TO-247, IXFH80N65X2
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MOSFET, IXFH80N65X2, LITTELFUSE
Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis.
Features
- Internationales Standardgehäuse
- Niedriger RDS(ON) und QG
- Niedrige Gehäuse-Induktivität
Anwendungen
- Schaltnetzteile und Resonanznetzteile
- DC-DC-Wandler
- PFC-Schaltungen
- AC- und DC-Motorantriebe
- Robotik und Servo-Steuerungen
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 38 mΩ | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.4x10<sup>-7</sup> C | |
Gehäuse | TO-247 | |
max. Spannung | 650 V | |
max. Strom | 80 A | |
max. Temperatur | 150 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | THT | |
Verlustleistung W (DC) | 890 W |
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Logistik
Ursprungsland | PH |
Zolltarifnummer | 85411000 |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |