IXFK120N30P3 | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal HiPerFET Power MOSFET, 300 V, 120 A, TO-264, IXFK120N30P3
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MOSFET, IXFK120N30P3, LITTELFUSE
Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis.
Features
- Dynamischer dv/dt-Wert
- Schnelle intrinsische Diode
- Niedriges QG
- Niedriger RDS(on)
- Niedrige Drain-to-Tab-Kapazität
- Niedrige Gehäuse-Induktivität
Anwendungen
- DC-DC-Wandler
- Batterieladegeräte
- Schaltnetzteile und Resonanznetzteile
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
- AC-Motorantriebe
- Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltanwendungen
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 27 mΩ | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.5x10<sup>-7</sup> C | |
Gehäuse | TO-264 | |
max. Spannung | 300 V | |
max. Strom | 120 A | |
max. Temperatur | 150 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | THT | |
Verlustleistung W (DC) | 1130 W |
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Logistik
Ursprungsland | PH |
Zolltarifnummer | 85411000 |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |