IXFN160N30T | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal GigaMOS Power MOSFET, 300 V, 130 A, SOT-227, IXFN160N30T
Bestellnr.: 74P1011
EAN: 4099891778767
HTN:
IXFN160N30T
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MOSFET, IXFN160N30T, LITTELFUSE
Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis.
Features
- Internationales Standardgehäuse
- miniBLOC mit Aluminiumnitrid-Isolierung
- Hohe Strombelastbarkeit
- Schnelle intrinsische Diode
- Niedriger RDS(on)
Anwendungen
- DC-DC-Wandler
- Batterieladegeräte
- Schaltnetzteile und Resonanznetzteile
- DC-Chopper
- AC-Motorantriebe
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
- Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltanwendungen
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 19 mΩ | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 3.76x10<sup>-7</sup> C | |
| Gehäuse | SOT-227 | |
| max. Spannung | 300 V | |
| max. Strom | 130 A | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | Schraubmontage | |
| Verlustleistung W (DC) | 900 W |
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Logistik
| Ursprungsland | KR |
| Zolltarifnummer | 85411000 |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
