IXFN32N100Q3 | Littelfuse

Littelfuse N-Kanal HiPerFET Power MOSFET, 1000 V, 28 A, SOT-227, IXFN32N100Q3

Bestellnr.: 74P1035
EAN: 4099891779009
HTN:
IXFN32N100Q3
Herstellerserien: Q3-Class
Littelfuse
IXFN32N100Q3 Littelfuse MOSFETs
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MOSFET, IXFN32N100Q3, LITTELFUSE

Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis.

Features

  • Internationales Standardgehäuse
  • Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
  • miniBLOC mit Aluminiumnitrid-Isolierung
  • Niedrige Gehäuse-Induktivität
  • Schneller intrinsischer Gleichrichter
  • Niedriger RDS(ON) und QG

Anwendungen

  • DC-DC-Wandler
  • Batterieladegeräte
  • Schaltnetzteile und Resonanznetzteile
  • DC-Chopper
  • Temperatur- und Beleuchtungssteuerung
Technische Daten
Ausführung N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 320 mΩ
Gate Charge Qg @10V (nC) 1.95x10<sup>-7</sup> C
Gehäuse SOT-227
max. Spannung 1000 V
max. Strom 28 A
max. Temperatur 150 °C
min. Temperatur -55 °C
Montage Schraubmontage
Verlustleistung W (DC) 780 W
Logistik
Ursprungsland KR
Zolltarifnummer 85411000
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja