IXFN360N10T | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal GigaMOS Trench HiperFETT Power MOSFET, 100 V, 360 A, SOT-227, IXFN360N10T
Bestellnr.: 74P1039
EAN: 4099891779047
HTN:
IXFN360N10T
Einzelpreis (€ / Stk.)
26,2633 € *
Lagerbestand: 0 Stk.
Lieferzeit ab Hersteller: 45 Wochen **
Gesamtpreis:
26,26 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
**Zwischenverkauf vorbehalten
300 Stk.
26,2633 €
MOSFET, IXFN360N10T, Littelfuse
IXFN360N10T eignet sich sowohl für hart schaltende als auch für resonante Anwendungen und bietet eine niedrige Gate-Ladung und ausgezeichnete Robustheit mit einer schnellen intrinsischen Diode.
Features
- Hohe Strombelastbarkeit
- Avalanche bewertet
- Niedrige Gehäuse-Induktivität
- Schnelle intrinsische Diode
- Leicht zu montieren
- Platzersparnis
- Hohe Leistungsdichte
Anwendungen
- DC-DC-Wandler
- Batterieladegeräte
- Gleichstrom-Chopper
- AC-Motorantriebe
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 2.6 mΩ | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 5.25x10<sup>-7</sup> C | |
Gehäuse | SOT-227 | |
max. Spannung | 100 V | |
max. Strom | 360 A | |
max. Temperatur | 175 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | Schraubmontage | |
Verlustleistung W (DC) | 830 W |
Download
Logistik
Ursprungsland | KR |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |