IXFN55N50 | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal HiPerFET Power MOSFET, 500 V, 50 A, SOT-227, IXFN55N50
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MOSFET, IXFN55N50, Littelfuse
IXFN55N50 eignet sich sowohl für hart schaltende als auch für resonante Anwendungen und bietet eine niedrige Gate-Ladung und ausgezeichnete Robustheit mit einer schnellen intrinsischen Diode.
Features
- Hohe Strombelastbarkeit
- Avalanche bewertet
- Niedrige Gehäuse-Induktivität
- Schnelle intrinsische Diode
- Leicht zu montieren
- Platzersparnis
- Hohe Leistungsdichte
Anwendungen
- DC-DC-Wandler
- Batterieladegeräte
- Gleichstrom-Chopper
- AC-Motorantriebe
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 90 mΩ | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 3.3x10<sup>-7</sup> C | |
| Gehäuse | SOT-227 | |
| max. Spannung | 500 V | |
| max. Strom | 50 A | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | Schraubmontage | |
| Verlustleistung W (DC) | 595 W |
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Logistik
| Ursprungsland | KR |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
