IXFN80N50P | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal HiPerFET Power MOSFET, 500 V, 66 A, SOT-227, IXFN80N50P
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MOSFET, IXFN80N50P, LITTELFUSE
Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis.
Features
- Internationales Standardgehäuse
- Schnelle intrinsische Diode
- Ungeklemmtes induktives Schalten (UIS) bewertet
- UL-anerkannt
- Isolierter Montagesockel
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 65 mΩ | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.95x10<sup>-7</sup> C | |
Gehäuse | SOT-227 | |
max. Spannung | 500 V | |
max. Strom | 66 A | |
max. Temperatur | 150 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | Schraubmontage | |
Verlustleistung W (DC) | 700 W |
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Logistik
Ursprungsland | KR |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |