IXFN80N60P3 | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal HiPerFET Power MOSFET, 600 V, 66 A, SOT-227, IXFN80N60P3
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MOSFET, IXFN80N60P3, LITTELFUSE
Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie einfacher Montage und Platzersparnis.
Features
- Internationales Standardgehäuse
- Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
- miniBLOC mit Aluminiumnitrid-Isolierung
- Dynamischer dv/dt-Wert
- Schneller intrinsischer Gleichrichter
- Niedriges QG
- Niedriger RDS(on)
- Niedrige Drain-to-Tab-Kapazität
- Niedrige Gehäuse-Induktivität
Anwendungen
- DC-DC-Wandler
- Batterieladegeräte
- Schaltnetzteile und Resonanznetzteile
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
- AC-Motorantriebe
- Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltanwendungen
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 77 mΩ | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.9x10<sup>-7</sup> C | |
| Gehäuse | SOT-227 | |
| max. Spannung | 600 V | |
| max. Strom | 66 A | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | Schraubmontage | |
| Verlustleistung W (DC) | 960 W |
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Logistik
| Ursprungsland | KR |
| Zolltarifnummer | 85411000 |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
