IXFN82N60Q3 | Littelfuse

Littelfuse N-Kanal HiPerFET Power MOSFET, 600 V, 66 A, SOT-227, IXFN82N60Q3

Bestellnr.: 74P1068
EAN: 4099891779337
HTN:
IXFN82N60Q3
Herstellerserien: Q3-Class
Littelfuse
IXFN82N60Q3 Littelfuse MOSFETs
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MOSFET, IXFN82N60Q3, LITTELFUSE

Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis.

Features

  • Internationales Standardgehäuse
  • Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
  • miniBLOC mit Aluminiumnitrid-Isolierung
  • Niedrige Gehäuse-Induktivität
  • Schneller intrinsischer Gleichrichter
  • Niedriger RDS(ON) und QG

Anwendungen

  • DC-DC-Wandler
  • Batterieladegeräte
  • Schaltnetzteile und Resonanznetzteile
  • DC-Chopper
  • Temperatur- und Beleuchtungssteuerung
Technische Daten
Ausführung N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 75 mΩ
Gate Charge Qg @10V (nC) 2.75x10<sup>-7</sup> C
Gehäuse SOT-227
max. Spannung 600 V
max. Strom 66 A
max. Temperatur 150 °C
min. Temperatur -55 °C
Montage Schraubmontage
Verlustleistung W (DC) 960 W
Logistik
Ursprungsland KR
Zolltarifnummer 85411000
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja