IXFN82N60Q3 | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal HiPerFET Power MOSFET, 600 V, 66 A, SOT-227, IXFN82N60Q3
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MOSFET, IXFN82N60Q3, LITTELFUSE
Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis.
Features
- Internationales Standardgehäuse
- Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
- miniBLOC mit Aluminiumnitrid-Isolierung
- Niedrige Gehäuse-Induktivität
- Schneller intrinsischer Gleichrichter
- Niedriger RDS(ON) und QG
Anwendungen
- DC-DC-Wandler
- Batterieladegeräte
- Schaltnetzteile und Resonanznetzteile
- DC-Chopper
- Temperatur- und Beleuchtungssteuerung
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 75 mΩ | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.75x10<sup>-7</sup> C | |
Gehäuse | SOT-227 | |
max. Spannung | 600 V | |
max. Strom | 66 A | |
max. Temperatur | 150 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | Schraubmontage | |
Verlustleistung W (DC) | 960 W |
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Logistik
Ursprungsland | KR |
Zolltarifnummer | 85411000 |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |