IXFR15N100Q3 | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal HiPerFET Power MOSFET, 1000 V, 10 A, TO-247I, IXFR15N100Q3
Einzelpreis (€ / Stk.)
19,3851 € *
Lagerbestand: 0 Stk.
Lieferzeit ab Hersteller: 98 Wochen **
Gesamtpreis:
19,39 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
**Zwischenverkauf vorbehalten
300 Stk.
19,3851 €
MOSFET, IXFR15N100Q3, LITTELFUSE
Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis.
Features
- Siliziumchip auf Direct-Copper-Bond (DCB) Substrat
- Isolierte Montagefläche
- Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
- Schneller intrinsischer Gleichrichter
- Niedrige Gehäuse-Induktivität
Anwendungen
- DC-DC-Wandler
- Batterieladegeräte
- Schaltnetzteile und Resonanznetzteile
- DC-Chopper
- Temperatur- und Beleuchtungssteuerung
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 1.2 Ω | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 6.4x10<sup>-8</sup> C | |
Gehäuse | TO-247I | |
max. Spannung | 1000 V | |
max. Strom | 10 A | |
max. Temperatur | 150 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | THT | |
Verlustleistung W (DC) | 400 W |
Download
Logistik
Ursprungsland | PH |
Zolltarifnummer | 85411000 |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |