IXTA06N120P | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal Power MOSFET, 1200 V, 0.6 A, TO-263, IXTA06N120P
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MOSFET, IXTA06N120P, LITTELFUSE
Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis.
Features
- Internationales Standardgehäuse
- Niedriges QG
- Niedrige Gehäuse-Induktivität
- Schneller intrinsischer Gleichrichter
Anwendungen
- DC-DC-Wandler
- Schaltnetzteile und Resonanznetzteile
- AC- und DC-Motorantriebe
- Entladungsschaltungen in Lasern, Funkenzündern, RF-Generatoren
- Hochspannungsimpulsstromanwendungen
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 34 Ω | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.33x10<sup>-8</sup> C | |
Gehäuse | TO-263 | |
max. Spannung | 1200 V | |
max. Strom | 0.6 A | |
max. Temperatur | 150 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | SMD | |
Verlustleistung W (DC) | 42 W |
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Logistik
Ursprungsland | KR |
Zolltarifnummer | 85411000 |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |