IXTA3N100D2 | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal Depletion Mode Power MOSFET, 1000 V, 3 A, TO-263, IXTA3N100D2
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MOSFET, IXTA3N100D2, LITTELFUSE
Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Verarmungsmodus, der Vorteile wie hohe Leistungsdichte, einfache Montage und Platzersparnis bietet.
Features
- Normalerweise ON-Modus
- Internationales Standardgehäuse
- Formepoxide erfüllen die Entflammbarkeitsklasse UL 94 V-0
Anwendungen
- Audio-Verstärker
- Anfahrschaltungen
- Schutzschaltungen
- Rampengeneratoren
- Stromregler
- Aktive Lasten
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 6 Ω | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 3.75x10<sup>-8</sup> C | |
Gehäuse | TO-263 | |
max. Spannung | 1000 V | |
max. Strom | 3 A | |
max. Temperatur | 150 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | SMD | |
Verlustleistung W (DC) | 125 W |
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Logistik
Ursprungsland | KR |
Zolltarifnummer | 85411000 |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |