IXTA80N12T2 | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal TrenchT2 Power MOSFET, 120 V, 80 A, TO-263, IXTA80N12T2
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MOSFET, IXTA80N12T2, LITTELFUSE
Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis.
Features
- Internationales Standardgehäuse
- Niedriger RDS(on)
- Schneller intrinsischer Gleichrichter
- Hohe Strombelastbarkeit
Anwendungen
- Synchrone Gleichrichtung
- DC-DC-Wandler und Offline-USV
- Primär - Seitenschalter
- Hochstrom-Schaltanwendungen
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 17 mΩ | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 8x10<sup>-8</sup> C | |
Gehäuse | TO-263 | |
max. Spannung | 120 V | |
max. Strom | 80 A | |
max. Temperatur | 175 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | SMD | |
Verlustleistung W (DC) | 325 W |
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Logistik
Ursprungsland | KR |
Zolltarifnummer | 85411000 |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |