IXTK200N10P | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal Power MOSFET, 100 V, 200 A, TO-264, IXTK200N10P
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MOSFET, IXTK200N10P, LITTELFUSE
Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis.
Features
- Internationales Standardgehäuse
- Ungeklemmtes induktives Schalten (UIS) bewertet
- Geringe Gehäuseinduktivität - einfach zu steuern und zu schützen
Anwendungen
- Schaltnetzteile und Resonanznetzteile
- DC-DC-Wandler
- Laser-Treiber
- AC- und DC-Motorantriebe
- Robotik und Servo-Steuerungen
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 7.5 mΩ | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.4x10<sup>-7</sup> C | |
Gehäuse | TO-264 | |
max. Spannung | 100 V | |
max. Strom | 200 A | |
max. Temperatur | 175 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | THT | |
Verlustleistung W (DC) | 800 W |
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Logistik
Ursprungsland | PH |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |