MMIX1F210N30P3 | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal HiPerFET Power MOSFET, 300 V, 108 A, SMPD, MMIX1F210N30P3
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MOSFET, MMIX1F210N30P3, LITTELFUSE
Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und Vorteilen wie einfacher Montage und Platzersparnis.
Features
- Siliziumchip auf direkt kupfergebundenem Substrat
- Hohe Verlustleistung
- Isolierte Montagefläche
- Niedrige Gehäuse-Induktivität
- Schneller intrinsischer Gleichrichter
- Niedriger RDS(on)
Anwendungen
- DC-DC-Wandler
- Batterieladegeräte
- Schaltnetzteile und Resonanznetzteile
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
- AC-Motorantriebe
- Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltanwendungen
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 16 mΩ | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.68x10<sup>-7</sup> C | |
| Gehäuse | SMPD | |
| max. Spannung | 300 V | |
| max. Strom | 108 A | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Verlustleistung W (DC) | 520 W |
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Logistik
| Ursprungsland | PH |
| Zolltarifnummer | 85411000 |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
