DSEE55-24N1F | Littelfuse
High Performance Fast Recovery Diode, 1200 V (RRM), 60 A, i4-Pac, DSEE55-24N1F
Bestellnr.: 74P1369
EAN: 4099891782344
HTN:
DSEE55-24N1F
Einzelpreis (€ / Stk.)
34,4029 € *
Lagerbestand: 0 Stk.
Lieferzeit ab Hersteller: 34 Wochen **
Gesamtpreis:
34,40 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
**Zwischenverkauf vorbehalten
250 Stk.
34,4029 €
Erholungsdiode, DSEE55-24N1F, Littelfuse
Hochleistungsdiode mit schneller Rückspeisung und einer Isolationsspannung von 3000 V, weicher Rückspeisung für geringe EMI/RFI, sehr niedrigem Leckstrom und Avalanche-Spannung für zuverlässigen Betrieb.
Features
- Planarer passivierter Chip
- Sehr kurze Erholungszeit
- Verbessertes thermisches Verhalten
- Sehr niedriger Irm-Wert
- Sehr weiches Rückstellverhalten
- Niedriger Irm reduziert die Verlustleistung innerhalb der Diode
- Niedriger Irm reduziert Einschaltverluste im Kommutierungsschalter
- Industriegerechte Kontur
- RoHS-konform
- Epoxidharz erfüllt UL 94 V-0
- Lötstifte für PCB-Montage
- Rückseite: DCB-Keramik
- Geringes Gewicht
- Erweiterte Leistungszyklen
Anwendungen
- Antiparallel-Diode für Hochfrequenz-Schaltgeräte
- Antisaturierungsdiode
- Snubber-Diode
- Freilaufende Diode
- Gleichrichter in Schaltnetzteilen (SMPS)
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Technische Daten
| Ausführung | High Performance Fast Recovery Diode | |
| Durchlassstrom | 60 A | |
| Gehäuse | i4-Pac | |
| Kapazität | 48 pF | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | THT | |
| Spannung V RRM (Spitzensperrspannung) | 1200 V | |
| Sperrschichttemperatur (max.) | 175 °C | |
| Sperrschichttemperatur (min.) | -55 °C |
Download
Logistik
| Ursprungsland | PH |
| Zolltarifnummer | 85411000 |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
