DSEI2X30-12B | Littelfuse
Fast Recovery Epitaxial Diode, 1200 V (RRM), 30 A, SOT-227B, DSEI2X30-12B
Bestellnr.: 74P1392
EAN: 4099891782573
HTN:
DSEI2X30-12B
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Erholungsdiode, DSEI2X30-12B, Littelfuse
Schnell erholende Epitaxiediode mit einer Isolationsspannung von 3000 V, weicher Sperrerholung für niedrige EMI/RFI, niedrigem Leckstrom, Avalanche-Spannung für zuverlässigen Betrieb und Kupferbasisplatte mit interner DCB-Isolation.
Features
- Planarer passivierter Chip
- Sehr kurze Erholungszeit
- Verbessertes thermisches Verhalten
- Sehr niedriger Irm-Wert
- Sehr weiches Rückstellverhalten
- Niedriger Irm reduziert die Verlustleistung innerhalb der Diode
- Niedriger Irm reduziert Einschaltverluste im Kommutierungsschalter
- Industriestandard-Kontur
- RoHS-konform
- Epoxidharz erfüllt UL 94 V-0
- Erweiterte Leistungszyklen
Anwendungen
- Antiparallel-Diode für Hochfrequenz-Schaltgeräte
- Antisaturierungsdiode
- Snubber-Diode
- Freilaufende Diode
- Gleichrichter in Schaltnetzteilen (SMPS)
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Technische Daten
| Ausführung | Fast Recovery Epitaxial Diode | |
| Durchlassstrom | 30 A | |
| Gehäuse | SOT-227B | |
| Kapazität | 14 pF | |
| max. Temperatur | 125 °C | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| Montage | SMD | |
| Spannung V RRM (Spitzensperrspannung) | 1200 V | |
| Sperrschichttemperatur (max.) | 150 °C | |
| Sperrschichttemperatur (min.) | -40 °C |
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Logistik
| Ursprungsland | KR |
| Zolltarifnummer | 85411000 |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
