DSEI36-06AS-TRL | Littelfuse
Fast Recovery Epitaxial Diode, 600 V (RRM), 30 A, TO-263AB, DSEI36-06AS-TRL
Bestellnr.: 74P1407
EAN: 4099891782726
HTN:
DSEI36-06AS-TRL
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Erholungsdiode, DSEI36-06AS-TRL, Littelfuse
Epitaxiediode mit schneller Erholung und weicher Rückwärtserholung für niedrige EMI/RFI, niedrigem Leckstrom und Avalanche-Spannung für zuverlässigen Betrieb.
Features
- Planarer passivierter Chip
- Sehr kurze Erholungszeit
- Verbessertes thermisches Verhalten
- Sehr niedriger Irm-Wert
- Sehr weiches Rückstellverhalten
- Niedriger Irm reduziert die Verlustleistung innerhalb der Diode
- Niedriger Irm reduziert Einschaltverluste im Kommutierungsschalter
- Industriestandard-Kontur
- RoHS-konform
- Epoxidharz erfüllt UL 94 V-0
Anwendungen
- Antiparallel-Diode für Hochfrequenz-Schaltgeräte
- Antisaturierungsdiode
- Snubber-Diode
- Freilaufende Diode
- Gleichrichter in Schaltnetzteilen (SMPS)
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Technische Daten
Anzahl der Dioden | 1 | |
Ausführung | Fast Recovery Epitaxial Diode | |
Durchlassstrom | 30 A | |
Gehäuse | TO-263AB | |
Kapazität | 22 pF | |
max. Temperatur | 125 °C | |
min. Temperatur | -40 °C | |
Montage | SMD | |
Spannung V RRM (Spitzensperrspannung) | 600 V | |
Sperrschichttemperatur (max.) | 150 °C | |
Sperrschichttemperatur (min.) | -40 °C |
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Logistik
Ursprungsland | PH |
Zolltarifnummer | 85411000 |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |