BC859B | NEXPERIA
Bipolartransistor, PNP, -100 mA, -30 V, SMD, SOT-23, BC859B
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PNP-Transistor, BC859B, NEXPERIA
PNP-Transistor in einem SOT23-Kunststoffgehäuse.
Features
- Niedriger Strom
- Niederspannung
Anwendungen
- Rauscharme Eingangsstufen von Tonfrequenzgeräten
Technische Daten
Ausführung | PNP | |
Gehäuse | SOT-23 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -30 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -30 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | SMD | |
Sättigungsspannung | -650 mV | |
Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 0.25 W | |
Kollektorstrom | -100 mA | |
Max Gleichstromverstärkung | 475 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 220 mA |
Download
Logistik
Ursprungsland | PH |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |