PBSS306NX,115 | NEXPERIA
Bipolartransistor, NPN, 4.5 A, 100 V, SMD, TO-243AA, PBSS306NX,115
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NPN-Transistor, PBSS306NX,115, NEXPERIA
NPN-Transistor mit niedriger VCEsat, bahnbrechend in der Kleinsignaltechnik (BISS), in einem kleinen SOT89 (SC-62/TO-243)-Kunststoffgehäuse mit flachen Anschlüssen für oberflächenmontierte Bauteile (SMD).
Features
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigung
- Hohe Kollektorstromfähigkeit
- Hohe Kollektorstromverstärkung
- Hohe Effizienz durch geringere Wärmeentwicklung
Anwendungen
- Automobilanwendungen
- Hochspannungs-Leistungsschalter
- Hochspannungsmotorsteuerung
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | TO-243AA | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 100 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 100 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | SMD | |
| Sättigungsspannung | 245 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 110 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.6 W | |
| Kollektorstrom | 4.5 A | |
| Min Gleichstromverstärkung | 200 mA |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 1.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
| SVHC frei | Ja |
