PBSS306NX,115 | NEXPERIA
Bipolartransistor, NPN, 4.5 A, 100 V, SMD, TO-243AA, PBSS306NX,115
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NPN-Transistor, PBSS306NX,115, NEXPERIA
NPN-Transistor mit niedriger VCEsat, bahnbrechend in der Kleinsignaltechnik (BISS), in einem kleinen SOT89 (SC-62/TO-243)-Kunststoffgehäuse mit flachen Anschlüssen für oberflächenmontierte Bauteile (SMD).
Features
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigung
- Hohe Kollektorstromfähigkeit
- Hohe Kollektorstromverstärkung
- Hohe Effizienz durch geringere Wärmeentwicklung
Anwendungen
- Automobilanwendungen
- Hochspannungs-Leistungsschalter
- Hochspannungsmotorsteuerung
Technische Daten
Ausführung | NPN | |
Gehäuse | TO-243AA | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 100 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 100 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | SMD | |
Sättigungsspannung | 245 mV | |
Transitfrequenz fTmin | 110 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 0.6 W | |
Kollektorstrom | 4.5 A | |
Min Gleichstromverstärkung | 200 mA |
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Logistik
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Rolle mit 1.000 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
SVHC frei | Ja |