PBSS4032NT,215 | NEXPERIA
Bipolartransistor, NPN, 2.6 A, 30 V, SMD, SOT-23, PBSS4032NT,215
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NPN-Transistor, PBSS4032NT,215, NEXPERIA
NPN-Transistor mit niedriger VCEsat, Durchbruch in der Kleinsignaltechnik (BISS) in einem SOT23 (TO-236AB)-Kunststoffgehäuse mit kleinen oberflächenmontierten Bauteilen (SMD).
Features
- Sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Hohe Kollektorstromfähigkeit
- Hohe Kollektorstromverstärkung
- Hohe Effizienz durch geringere Wärmeentwicklung
Anwendungen
- Lastschalter
- Batteriebetriebene Geräte
- Energieverwaltung
- Ladestromkreise
- Leistungsschalter
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 30 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 30 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | SMD | |
| Transitfrequenz fTmin | 180 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.39 W | |
| Kollektorstrom | 2.6 A | |
| Min Gleichstromverstärkung | 300 mA |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
| SVHC frei | Ja |
