PBSS5540Z,115 | NEXPERIA
Bipolartransistor, PNP, -5 A, -40 V, SMD, TO-261, PBSS5540Z,115
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PNP-Transistor, PBSS5540Z,115, NEXPERIA
PNP-Transistor mit niedriger VCEsat in einem SOT223-Kunststoffgehäuse.
Features
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Hohe Stromfähigkeit
- Verbesserte Zuverlässigkeit der Geräte durch geringere Wärmeentwicklung
Anwendungen
- Schaltkreise der Versorgungsleitungen
- Anwendungen für das Batteriemanagement
- Batteriebetriebene Schwerlastgeräte
- DC/DC converter applications
Technische Daten
| Ausführung | PNP | |
| Gehäuse | TO-261 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -40 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -40 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | SMD | |
| Sättigungsspannung | -375 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 120 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 1.35 W | |
| Kollektorstrom | -5 A | |
| Min Gleichstromverstärkung | 250 mA |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 1.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
| SVHC frei | Ja |
