PUMZ1,115 | NEXPERIA
Bipolartransistor, NPN/PNP, 100 mA, 40 V, SMD, SOT-363, PUMZ1,115
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NPN/PNP-Transistor, PUMZ1,115, NEXPERIA
Zwei unabhängig voneinander arbeitende NPN/PNP-Transistoren in einem SC-88; SOT363 Kunststoffgehäuse.
Features
- Reduziert die Anzahl der Komponenten und den Platz auf der Platine
- AEC-Q101 qualifiziert
Anwendungen
- Allzweckschaltung und Verstärkung
Technische Daten
Ausführung | NPN/PNP | |
Gehäuse | SOT-363 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 50 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 40 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | SMD | |
Sättigungsspannung | 200 mV | |
Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 0.3 W | |
Kollektorstrom | 100 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 120 mA |
Download
Logistik
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
SVHC frei | Ja |