BZV55-C3V9,115 | NEXPERIA
Zener-Diode, 4.1 V, 500 mW, DO-213AC, BZV55-C3V9,115
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Zener-Dioden 500 mW Typ NXP BZV55.
Verlustleistung: 500 mW, Gehäuse: SOD80C.
Technische Merkmale (Typ, Zenerspannung): BZV55/C3V9, 3,9 V
Technische Daten
| Anzahl der Dioden | 1 | |
| Ausführung | Zener-Diode | |
| Durchlassspannung | 0.9 V | |
| Durchlassstrom | 25 mA | |
| Durchmesser | 1.6 mm | |
| Gehäuse | DO-213AC | |
| Länge | 3.7 mm | |
| max. Temperatur | 200 °C | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | SMD | |
| Sperrschichttemperatur (max.) | 200 °C | |
| Sperrschichttemperatur (min.) | -65 °C | |
| Verlustleistung W (DC) | 500 mW | |
| Zenerspannung | 4.1 V |
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Logistik
| Ursprungsland | PH |
| Zolltarifnummer | 85411000 |
| Originalverpackung | Rolle mit 2.500 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Nein |
| Substanz Beschreibung | Bleimonoxid [Blei(II)oxid] |
