BC807-16LT1G | onsemi

Bipolartransistor, PNP, -500 mA, -45 V, SMD, SOT-23, BC807-16LT1G

Bestellnr.: 12S6252
EAN: 4099879027153
HTN:
BC807-16LT1G
Herstellerserien: BC807
onsemi
BC807-16LT1G onsemi Bipolar Transistoren
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PNP-Transistor, BC807-16LT1G, onsemi

Dieser PNP-Bipolartransistor ist für den Einsatz in linearen und schaltenden Anwendungen vorgesehen. Der Baustein ist im SOT-23-Gehäuse untergebracht, das für oberflächenmontierte Anwendungen mit geringerem Stromverbrauch ausgelegt ist.

Anwendungen

  • Verpolungsschutz
  • Induktiver Lastschutz
  • Überspannungsschutz
Technische Daten
Ausführung PNP
Gehäuse SOT-23
max. Temperatur 150 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo -50 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo -45 V
min. Temperatur -55 °C
Montage SMD
Nennstrom 500 mA
Sättigungsspannung -700 mV
Transitfrequenz fTmin 100 MHz
Verlustleistung VA (AC) 0.225 W
Kollektorstrom -500 mA
Max Gleichstromverstärkung 250 mA
Min Gleichstromverstärkung 100 mA
Logistik
Ursprungsland CN
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Rolle mit 3.000 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja