BC818-40LT1G | onsemi
Bipolartransistor, NPN, 500 mA, 25 V, SMD, SOT-23, BC818-40LT1G
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NPN-Transistor, BC818-40LT1G, onsemi
Dieser bipolare NPN-Transistor ist für den Einsatz in linearen und schaltenden Anwendungen vorgesehen. Der Baustein ist im SOT-23-Gehäuse untergebracht, das für Oberflächenmontageanwendungen mit geringerem Stromverbrauch ausgelegt ist.
Technische Daten
Ausführung | NPN | |
Gehäuse | SOT-23 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 30 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 25 V | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | SMD | |
Sättigungsspannung | 700 mV | |
Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 0.225 W | |
Kollektorstrom | 500 mA | |
Max Gleichstromverstärkung | 600 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 250 mA |
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Logistik
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85419000 |
Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |