BC849BLT1G | onsemi

Name: Bipolartransistor, NPN, 100 mA, 30 V, SMD, SOT-23, BC849BLT1G
Brand: onsemi
SKU: 12S6275
Price: 0.02 EUR
Availability: OutOfStock

Bipolartransistor, NPN, 100 mA, 30 V, SMD, SOT-23, BC849BLT1G

Bestellnr.: 12S6275

EAN: 4099879027290

HTN:

BC849BLT1G

Herstellerserien: BC849

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Wichtige Spezifikationen:

Montage SMD

Gehäuse SOT-23

Ausführung NPN

Sättigungsspannung 600 mV

Kollektorstrom 100 mA

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Produktbeschreibung

NPN-Transistor, BC849BLT1G, onsemi

Dieser bipolare NPN-Transistor ist für den Einsatz in linearen und schaltenden Anwendungen vorgesehen. Der Baustein ist im SOT-23-Gehäuse untergebracht, das für Oberflächenmontageanwendungen mit geringerem Stromverbrauch ausgelegt ist.

Anwendungen

Verpolungsschutz
Schutz der Datenleitungen
Induktiver Lastschutz
ESD-Schutz

Technische Daten

	Ausführung	NPN
	Gehäuse	SOT-23
	max. Temperatur	150 °C
	max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo	30 V
	max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo	30 V
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	SMD
	Sättigungsspannung	600 mV
	Transitfrequenz fTmin	100 MHz
	Verlustleistung VA (AC)	0.225 W
	Kollektorstrom	100 mA