MJ11016G | onsemi

Name: Bipolartransistor, NPN, 30 A, 120 V, THT, TO-3, MJ11016G
Brand: onsemi
SKU: 24S4040
Price: 8.65 EUR
Availability: InStock

Bipolartransistor, NPN, 30 A, 120 V, THT, TO-3, MJ11016G

Bestellnr.: 24S4040

EAN: 4099879029553

HTN:

MJ11016G

Herstellerserien: MJ11

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Wichtige Spezifikationen:

Montage THT

Gehäuse TO-3

Ausführung NPN

Sättigungsspannung 3 V

Kollektorstrom 30 A

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Produktbeschreibung

Hochstromtransistor, MJ11016G, onsemi

Dieser komplementäre Hochstrom-Siliziumtransistor ist für den Einsatz als Ausgangsbauelement in komplementären Allzweckverstärkeranwendungen vorgesehen.

Features

Hohe DC-Stromverstärkung
Monolithische Konstruktion mit eingebautem Basis-Emitter-Nebenschlusswiderstand

Technische Daten

	Ausführung	NPN
	Gehäuse	TO-3
	max. Temperatur	200 °C
	max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo	120 V
	max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo	120 V
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	THT
	Nennstrom	30 A
	Sättigungsspannung	3 V
	Transitfrequenz fTmin	4 MHz
	Verlustleistung VA (AC)	200 W
	Kollektorstrom	30 A
	Min Gleichstromverstärkung	200 mA