MMBT3904LT1G | onsemi
Bipolartransistor, NPN, 200 mA, 40 V, SMD, SOT-23, MMBT3904LT1G
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Transistor, MMBT3904LT1G, ON SemiconductorS
Der MMBT3904LTT1G ist ein bipolarer NPN-Siliziumtransistor, der für den Einsatz in linearen, oberflächenmontierbaren und Schaltanwendungen mit geringerer Leistung entwickelt wurde.
Features
- Diese Geräte sind Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
- S-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die eindeutige Standort- und Steuerungsänderungsanforderungen erfordern; AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
Technische Daten
Ausführung | NPN | |
Gehäuse | SOT-23 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 60 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 40 V | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | SMD | |
Verlustleistung VA (AC) | 0.225 W | |
Kollektorstrom | 200 mA | |
Max Gleichstromverstärkung | 300 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 100 mA |
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Logistik
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
MSL | MSL 1 |
Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |